Sn-119m

半衰期：293.1天
光子能量：
                γ       23.87keV（16.1%）
                XK_α   25.27keV（22.0%）
                XK_β   28.57keV（4.85%）
Sn-119m沉積在標準或定制的基材（CaSnO3，BaSnO3和SnO2）上，基材由高比活度（〉300mCi/g）的Sn-119m放射性核素和純度超過99.9%的放射性同位素合成。鈹窗用銅焊固定，鈦合金源托用激光焊接，確保環境安全無污染泄露。

1 源托型號 1，3                                                2 源托型號 5，6

*公差：±10%
ISO類別：C54243
推薦使用壽命：5年
半峰寬測量，用0.09mg/cm²  Sn-119m鋇錫酸鹽吸收體，不超過0.80mm/s