H-3

β放射源
半衰期：12.34年
β粒子能量：
                   β_max    18.59keV
                   β           5.69keV
工藝：不銹鋼，銅或鉬背板，表面鍍一層吸收了H-3的鈦。活性部分被鍍覆一層二氧化硅或鋁膜。

1  面源 
 
活性層面活度****** 0.2 Ci/cm²，電離電流在2π電離室中測量值****** 1.2×10^-8 A/cm²

*公差：±10% 
推薦使用壽命：5年